BF622_集成电路资料查询网

半导体 组 2
bf 622
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
集电级 截止 电流
V
CE
= 200 v,
R
是
= 2.7 k
Ω
V
CE
= 200 v,
R
是
= 2.7 k
Ω
, t
一个
= 150 ˚c
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安
I
C
= 10
µ
一个,
R
是
= 2.7 k
Ω
V
(br)ce0
V
(br)cer
250
250
–
–
–
–
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个
V
(br)cb0
250 – –
–
直流 电流 增益
1)
I
C
= 25 毫安,
V
CE
= 20 V
h
FE
50 – –
mhztransition 频率
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 20 MHz
f
T
– 100 –
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
交流 特性
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个
V
(br)eb0
5––
nA
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 200 v,
T
一个
= 150 ˚c
I
CB0
–
–
–
–
100
20
发射级 截止 电流
V
EB
= 5 V
I
EB0
––10
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 1 毫安
V
CEsat
– – 0.5
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 1 毫安
V
BEsat
––1
µ
一个
I
CER
–
–
–
–
1
50
pfoutput 电容
V
CB
= 30 v,
f
= 1 MHz
C
obo
– 0.8 –
1)
脉冲波 测试:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

半导体组 2 bf 622 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. 集电级截止电流 V CE = 200 v, R 是 = 2.7 k Ω V CE = 200 v, R 是 = 2.7 k Ω , t 一个 = 150 ˚c vcollector-发射级损坏电压 I C = 1 毫安 I C = 10 µ 一个, R 是 = 2.7 k Ω V (br)ce0 V (br)cer 250 250 – – – – 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µ 一个 V (br)cb0 250 – – – 直流电流增益 1) I C = 25 毫安, V CE = 20 V h FE 50 – – mhztransition 频率 I C = 10 毫安, V CE = 10 v, f = 20 MHz f T – 100 – UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值直流特性交流特性发射级-根基损坏电压 I E = 10 µ 一个 V (br)eb0 5–– nA µ 一个集电级截止电流 V CB = 200 V V CB = 200 v, T 一个 = 150 ˚c I CB0 – – – – 100 20 发射级截止电流 V EB = 5 V I EB0 ––10 V 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 1 毫安 V CEsat – – 0.5 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 1 毫安 V BEsat ––1 µ 一个 I CER – – – – 1 50 pfoutput 电容 V CB = 30 v, f = 1 MHz C obo – 0.8 – 1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com