1997 Sep 03 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 bf820w; bf822w
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
BF820W
−
300 V
BF822W
−
250 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
BF820W
−
300 V
BF822W
−
250 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
50 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
100 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
−
50 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
c; 便条 1
−
200 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 625 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 200 V
−
10 nA
I
E
= 0; v
CB
= 200 v; t
j
= 150
°
C
−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 25 毫安; v
CE
=20V 50
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 30 毫安; i
B
= 5ma; 便条 1
−
600 mV
C
re
反馈 电容 I
C
=i
c
= 0; v
CB
= 30 v; f = 1 MHz
−
1.6 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 60
−
MHz
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