1996 Jul 30 6
飞利浦 半导体 产品 规格
双-门 mos-fets bf908; bf908r
表格 1
scattering 参数
表格 2
噪音 数据
f
(mhz)
s
11
s
21
s
12
s
22
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
V
DS
=8v; v
g2-s
=4v; i
D
= 10 毫安; t
amb
=25
°
c.
50 0.998
−
5.1 3.537 173.5 0.001 98.2 0.996
−
2.4
100 0.994
−
10.4 3.502 167.7 0.001 88.8 0.994
−
4.9
200 0.979
−
20.8 3.450 154.9 0.003 74.6 0.987
−
9.5
300 0.962
−
30.3 3.318 143.7 0.004 69.5 0.983
−
13.9
400 0.939
−
40.1 3.234 131.9 0.005 65.6 0.980
−
18.5
500 0.914
−
49.1 3.093 120.7 0.006 64.4 0.974
−
22.8
600 0.892
−
57.1 2.912 111.1 0.005 63.1 0.969
−
27.0
700 0.865
−
64.4 2.774 101.0 0.005 65.2 0.966
−
31.2
800 0.837
−
71.6 2.616 91.4 0.004 70.8 0.965
−
35.4
900 0.811
−
78.1 2.479 81.9 0.004 87.4 0.965
−
39.4
1000 0.785
−
84.5 3.329 72.5 0.003 108.0 0.966
−
43.7
V
DS
=8v; v
g2-s
=4v; i
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
50 0.998
−
5.3 3.983 173.4 0.001 95.5 0.994
−
2.4
100 0.994
−
10.9 3.943 167.5 0.001 93.6 0.991
−
5.0
200 0.976
−
21.6 3.878 154.7 0.003 74.3 0.984
−
9.7
300 0.957
−
31.7 3.722 143.3 0.004 70.0 0.979
−
14.2
400 0.934
−
41.7 3.614 131.6 0.005 63.5 0.975
−
18.8
500 0.907
−
51.1 3.446 120.4 0.006 62.2 0.969
−
23.2
600 0.885
−
59.1 3.240 110.9 0.005 59.6 0.964
−
27.4
700 0.851
−
66.8 3.072 100.9 0.005 64.8 0.961
−
31.6
800 0.826
−
73.9 2.891 91.3 0.004 67.8 0.959
−
35.9
900 0.797
−
80.7 2.733 81.9 0.004 85.0 0.958
−
40.0
1000 0.773
−
87.0 2.569 72.8 0.004 102.9 0.958
−
44.2
f
(mhz)
F
最小值
(db)
Γ
opt
r
n
(比率) (deg)
V
DS
=8v; v
g2-s
=4v; i
D
= 10 毫安; t
amb
=25
°
c.
800 1.50 0.720 56.7 0.580
V
DS
=8v; v
g2-s
=4v; i
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
800 1.50 0.700 59.2 0.520
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