1995 apr 25 5
飞利浦 半导体 初步的 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF908WR
图.3 转移 特性; 典型 值.
V
DS
=8v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
10
20
30
40
0 0.2 0.4 0.6–0.2–0.4–0.6
3 v
2 v
1.5 v
1 v
0.5 v
0 v
(毫安)
I
D
= 4 vv
g2-s
V
g1-s
(v)
MRC281
图.4 输出 特性; 典型 值.
V
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
10
20
30
04812
0.2 v
0.1 v
0 v
–0.2 v
–0.3 v
–0.1 v
v (v)
DS
I
D
(毫安)
16
v =
g1-s
0.3 v
MRC282
图.5 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
V
DS
=8v.
T
j
=25
°
c.
0
10
20
30
40
50
0 5 10 15 20 25
0.5 v
1 v
1.5 v
2 v
3 v
4 v
V
g2-s
= 0 v
Y
fs
(ms)
I
D
(毫安)
MRC280
图.6 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 接合面 温度; 典型 值.
0
20
40
60
0 40 80 120 16040
Y
fs
(ms)
T
j
( c)
o
MRC276
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