九月 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 BFG541
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
2. I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; r
L
=50
Ω
; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 900 mhz; f
q
= 902 mhz;
量过的 在 f
(2p
−
q)
= 898 mhz 和 在 f
(2p
−
q)
= 904 mhz.
3. d
im
=
−
60 db (din 45004b); i
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; z
L
=Z
s
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
o
;v
q
=V
o
−
6 db; v
r
=V
o
−
6 db;
f
p
= 795.25 mhz; f
q
= 803.25 mhz; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p
+
q
−
r)
= 793.25 mhz
4. I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; v
o
= 325 mv; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 250 mhz; f
q
= 560 mhz;
量过的 在 f
(p
+
q)
= 810 mhz
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=8 v
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v 60 120 250
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 mhz
−
2
−
pF
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 mhz
−
1
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 mhz
−
0.7
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(便条 1)
I
C
= 40 毫安; V
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
15
−
dB
I
C
= 40 毫安; V
CE
= 8 v; f = 2 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
c
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
13 14
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8 v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.3 1.8 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 40 毫安; v
CE
=8 v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.9 2.4 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8 v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
2.1
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
c
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; r
L
=50
Ω;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
21
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 便条 2
−
34
−
dBm
V
o
输出 电压 便条 3
−
500
−
mV
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
便条 4
−−
50
−
dB
G
UM
10 log
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
db.
=