1998 三月 11 9
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 17 ghz wideband 晶体管 BFG403W
额外的刺激 参数 为 这 bfg403w 消逝
sequence 非. 参数 值 单位
1 是 5.554 aA
2 BF 145.0
−
3 NF 0.993
−
4 VAF 31.12 V
5 IKF 35.75 毫安
6 ISE 35.35 fA
7 NE 3.000
−
8 BR 11.37
−
9 NR 0.985
−
10 VAR 1.874 V
11 IKR 0.014 一个
12 ISC 57.08 aA
13 NC 1.546
−
14 RB 122.4
Ω
15 IRB 0.000 一个
16 RBM 52.45
Ω
17 RE 1.511
Ω
18 RC 15.12
Ω
19
(1)
XTB 1.500
−
20
(1)
EG 1.110 eV
21
(1)
XTI 3.000
−
22 CJE 36.61 fF
23 VJE 900.0 mV
24 MJE 0.346
−
25 TF 4.122 ps
26 XTF 68.20
−
27 VTF 2.004 V
28 ITF 0.179 一个
29 PTF 0.000 deg
30 CJC 16.21 fF
31 VJC 556.9 mV
32 MJC 0.207
−
33 XCJC 0.500
−
34
(1)
TR 00.00 ns
35
(1)
CJS 78.59 fF
36
(1)
VJS 418.3 mV
37
(1)
MJS 0.239
−
38 FC 0.550
−
注释
1. 这些 参数 有 不 被 提取, 这
default 值 是 显示.
2. 使牢固结合 垫子 capacity c
bp
在 序列 和 基质
阻抗 r
sb1
在 b
′
和 e
′
.
3. 使牢固结合 垫子 capacity c
bp
在 序列 和 基质
阻抗 r
sb2
在 c
′
和 e
′
.
列表 的 组件
(看 图.14)
便条
1. 外部 发射级 电感 至 是 增加 separately
预定的 至 这 影响 的 这 打印-电路 板.
39
(2)(3)
C
bp
145 fF
40
(2)
R
sb1
25
Ω
41
(3)
R
sb2
19
Ω
DESIGNATION 值 单位
C
是
80 fF
C
cb
2fF
C
ce
80 fF
L1 1.1 nH
L2 1.1 nH
l3 (便条 1) 0.25 nH
sequence 非. 参数 值 单位
QL
B
= 50; ql
E
= 50; ql
b,e
(f)=ql
b,e
√
(f/f
c
)
f
c
= 范围调整 频率 = 1 ghz.
图.14 包装 相等的 电路 sot343r2.
handbook, halfpage
MGD956
B
E
cb' c'
e'
L3
L1 L2
C
cb
C
是 ce
C