1995 sep 13 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 7ghz wideband 晶体管 BFG135
热的 特性
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. d
im
=
−
60 db (din 45004b); i
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 v; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
o
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 445.25 mhz;
V
q
=V
o
−
6 db; f
q
= 453.25 mhz;
V
r
=V
o
−
6 db; f
r
= 455.25 mhz;
量过的 在 f
(p+q
−
r)
= 443.25 mhz.
2. d
im
=
−
60 db (din 45004b); i
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 v; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
o
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 795.25 mhz;
V
q
=V
o
−
6 db; f
q
= 803.25 mhz;
V
r
=V
o
−
6 db; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p+q
−
r)
= 793.25 mhz.
标识 参数 情况
热的
阻抗
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接
要点
向上 至 t
s
= 145
°
c (便条 1) 30 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=10V
−−
1
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 V 80 130
−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 MHz
−
2
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
7
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 10 v; f = 1 MHz
−
1.2
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
7
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源
增益
I
C
= 100 毫安; v
CE
=10v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
16
−
dB
I
C
= 100 毫安; v
CE
=10v;
f = 800 mhz; t
amb
=25
°
C
−
12
−
dB
V
o
输出 电压 便条 1
−
900
−
mV
便条 2
−
850
−
mV
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
I
C
= 90 毫安; v
CE
=10v;
V
O
= 50 dbmv; t
amb
=25
°
c;
f
(p+q)
= 450 mhz;
f
p
= 50 mhz; f
q
= 400 MHz
−−
58
−
dB
I
C
= 90 毫安; v
CE
=10v;
V
O
= 50 dbmv; t
amb
=25
°
c;
f
(p+q)
= 810 mhz;
f
p
= 250 mhz; f
q
= 560 MHz
−−
53
−
dB
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