1998 Oct 02 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 8 ghz wideband 晶体管 bfg67; bfg67/x; bfg67/xr
特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 泄漏 电流 V
CB
=5v; i
E
=0
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 15 毫安; v
CE
= 5 V 60 100
−
f
T
转变 频率 I
C
= 15 毫安; v
CE
= 8 v; f = 500 MHz
−
8
−
GHz
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.7
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
1.3
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
=i
c
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.5
−
pF
G
UM
最大 unilateral 电源
增益; 便条 1
I
C
= 15 毫安; v
CE
=8v;
T
amb
=25
°
c; f = 1 GHz
−
17
−
dB
I
C
= 15 毫安; v
CE
=8v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
10
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
=8V
T
amb
=25
°
c; f = 1 GHz
−
1.3
−
dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 15 毫安; v
CE
=8v;
T
amb
=25
°
c; f = 1 GHz
−
1.7
−
dB
I
C
= 5 毫安; v
CE
=8v;
T
amb
= 25
°
c; f = 2 ghz; z
S
=60
Ω
−
2.5
−
dB
I
C
= 15 毫安; v
CE
=8v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 ghz; z
S
=60
Ω
−
3
−
dB
G
UM
10
S
21
2
1S
11
2
–
()
1S
22
2
–
()
--------------------------------------------------------------
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