2000 将 23 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管
bfg540; bfg540/x;
bfg540/xr
快 涉及 数据
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 60134).
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
热的 特性
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
直流 集电级 电流
−−
120 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
60
°
c; 便条 1
−−
400 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
=8v; t
j
=25
°
C 100 120 250
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 8 v; f = 1 MHz
−
0.5
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
18
−
dB
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 2 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
11
−
dB
嵌入 电源 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 900 mhz;
T
amb
=25
°
C
15 16
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.3 1.8 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 40 毫安; v
CE
=8v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.9 2.4 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 10 毫安; v
CE
=8v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
2.1
−
dB
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−
15 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
2.5 V
I
C
直流 集电级 电流
−
120 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
60
°
c; 便条 1
−
400 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 T
s
≤
60
°
c; 便条 1 290 k/w
s
21
2