1995 sep 12 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 2 ghz wideband 晶体管 BFG16A
热的 特性
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面
至 焊接 要点
向上 至 t
s
=110
°
c; 便条 1 40 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏
电压
打开 发射级; i
C
= 0.1 毫安 25
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏
电压
打开 根基; i
C
=10mA 18
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
= 0.1 毫安 3
−−
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=28V
−−
20
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 150 毫安; v
CE
=5V 25 80
−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=10v; f=1mhz
−
2.5
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
10.0
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
=10v; f=1mhz
−
1.5
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 100 毫安; v
CE
=10v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.5
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
便条 1
I
C
= 100 毫安; v
CE
=10v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
10
−
dB
G
UM
10
s
21
2
1s
11
2
–
()
1s
22
2
–
()
------------------------------------------------------------
db.log
=
: 点此下载
