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资料编号:169796
 
资料名称:BFG410W
 
文件大小: 104.6K
   
说明
 
介绍:
NPN 22 GHz wideband transistor
 
 


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1998 三月 11 8
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 22 ghz wideband 晶体管 BFG410W
图.12 一般 发射级 输出 reflection 系数 (s
22
); 典型 值.
I
C
= 10 毫安; v
CE
= 2 v; z
o
=50
Ω.
handbook, 全部 pagewidth
MGG727
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2 0.5 1 2 5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 mhz
3 ghz
噪音 数据
V
CE
= 2 v; 典型 值.
f
(mhz)
I
C
(毫安)
F
最小值
(db)
Γ
mag
Γ
角度
r
n
(
)
900 1 0.8 0.73 11.2 0.56
2 0.9 0.58 10.1 0.43
4 1.1 0.40 10.1 0.33
6 1.3 0.28 11.0 0.30
8 1.5 0.20 8.0 0.30
10 1.7 0.14 10.5 0.27
12 1.9 0.06 10.1 0.25
14 2.1 0.05 14.2 0.26
2000 1 1.2 0.64 35.7 0.57
2 1.2 0.50 35.8 0.44
4 1.4 0.34 34.4 0.37
6 1.6 0.25 33.7 0.34
8 1.8 0.17 34.5 0.35
10 2.0 0.12 35.8 0.34
12 2.2 0.05 38.0 0.35
14 2.4 0.03 44.8 0.34
图.13 最小 噪音 图示 作 一个 函数 的 这
集电级 电流; 典型 值.
(1) f = 2 ghz; v
CE
=2v.
(2) f = 900 mhz; v
CE
=2v.
handbook, halfpage
0841216
MGG723
3
1
0
2
I
C
(毫安)
F
最小值
(db)
(1)
(2)
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