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MMBFJ309LT1 MMBFJ310LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
c1 = c2 = 0.8 – 10 pf, jfd #mvm010w.
c3 = c4 = 8.35 pf erie #539–002d.
c5 = c6 = 5000 pf erie (2443–000).
c7 = 1000 pf, allen bradley #fa5c.
rfc = 0.33
µ
h miller #9230–30.
l1 = 一个 转变 #16 cu, 1/4
″
i.d. (空气 核心).
L2
P
= 一个 转变 #16 cu, 1/4
″
i.d. (空气 核心).
L2
S
= 一个 转变 #16 cu, 1/4
″
i.d. (空气 核心).
50
Ω
源
50
Ω
加载
U310
C3
C2
C6
C7
C4
1.0 k
RFC
L1
L2
P
L2
S
+V
DD
C1
C5
图示 1. 450 mhz common–gate 放大器 测试 电路
70
60
50
40
30
20
, 饱和 流 电流 (毫安)
–5.0 –4.0 –3.0 –2.0
–1.0 0
I
D
– v
GS
, gate–source 电压 (伏特)
I
DSS
10
0
70
60
50
40
30
20
10
, 流 电流 (毫安)i
D
I
DSS
– v
GS
, gate–source 截止 电压 (伏特)
图示 2. 流 电流 和 转移
特性 相比 gate–source 电压
V
DS
= 10 v
I
DSS
+25
°
C
T
一个
= – 55
°
C
+25
°
C
+25
°
C
–55
°
C
+150
°
C
+150
°
C
V
GS
, gate–source 电压 (伏特)
5.0 4.0 3.0 2.0
1.0 0
35
30
25
20
15
10
5.0
0
, 向前 跨导 (mmhos)y
fs
图示 3. 向前 跨导
相比 gate–source 电压
V
DS
= 10 v
f = 1.0 mhz
T
一个
= – 55
°
C
+25
°
C
+150
°
C
+25
°
C
–55
°
C
+150
°
C
I
D
, 流 电流 (毫安)
100 k
10 k
1.0 k
100
1.0 k
100
10
1.0
0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
, 向前 跨导 (  mhos)y
fs
µ
, 输出 admittance (   mhos)y
os
µ
V
gs(止)
= – 2.3 v =
V
gs(止)
= – 5.7 v =
图示 4. common–source 输出
admittance 和 向前 跨导
相比 流 电流
Y
fs
Y
fs
Y
os
V
GS
, 门 源 电压 (伏特)
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 06.07.08.09.010
电容 (pf)
10
7.0
4.0
1.0
0
120
96
72
48
24
0
, 在 阻抗 (ohms)r
DS
R
DS
C
gs
C
gd
图示 5. 在 阻抗 和 接合面
电容 相比 gate–source 电压

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MMBFJ309LT1 MMBFJ310LT1 2 motorola small–signal 晶体管, fets 和二极管设备数据 c1 = c2 = 0.8 – 10 pf, jfd #mvm010w. c3 = c4 = 8.35 pf erie #539–002d. c5 = c6 = 5000 pf erie (2443–000). c7 = 1000 pf, allen bradley #fa5c. rfc = 0.33 µ h miller #9230–30. l1 = 一个转变 #16 cu, 1/4 ″ i.d. (空气核心). L2 P = 一个转变 #16 cu, 1/4 ″ i.d. (空气核心). L2 S = 一个转变 #16 cu, 1/4 ″ i.d. (空气核心). 50 Ω 源 50 Ω 加载 U310 C3 C2 C6 C7 C4 1.0 k RFC L1 L2 P L2 S +V DD C1 C5 图示 1. 450 mhz common–gate 放大器测试电路 70 60 50 40 30 20 , 饱和流电流 (毫安) –5.0 –4.0 –3.0 –2.0 –1.0 0 I D – v GS , gate–source 电压 (伏特) I DSS 10 0 70 60 50 40 30 20 10 , 流电流 (毫安)i D I DSS – v GS , gate–source 截止电压 (伏特) 图示 2. 流电流和转移特性相比 gate–source 电压 V DS = 10 v I DSS +25 ° C T 一个 = – 55 ° C +25 ° C +25 ° C –55 ° C +150 ° C +150 ° C V GS , gate–source 电压 (伏特) 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 35 30 25 20 15 10 5.0 0 , 向前跨导 (mmhos)y fs 图示 3. 向前跨导相比 gate–source 电压 V DS = 10 v f = 1.0 mhz T 一个 = – 55 ° C +25 ° C +150 ° C +25 ° C –55 ° C +150 ° C I D , 流电流 (毫安) 100 k 10 k 1.0 k 100 1.0 k 100 10 1.0 0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 , 向前跨导 ( mhos)y fs µ , 输出 admittance ( mhos)y os µ V gs(止) = – 2.3 v = V gs(止) = – 5.7 v = 图示 4. common–source 输出 admittance 和向前跨导相比流电流 Y fs Y fs Y os V GS , 门源电压 (伏特) 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 06.07.08.09.010 电容 (pf) 10 7.0 4.0 1.0 0 120 96 72 48 24 0 , 在阻抗 (ohms)r DS R DS C gs C gd 图示 5. 在阻抗和接合面电容相比 gate–source 电压

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