1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
JFET vhf/uhf 放大器 晶体管
N–Channel
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DS
25 Vdc
gate–source 电压 V
GS
25 Vdc
门 电流 I
G
10 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbfj309lt1 = 6u; mmbfj310lt1 = 6t
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
gate–source 损坏 电压 (i
G
= –1.0
µ
模数转换器, v
DS
= 0) V
(br)gss
–25 — — Vdc
门 反转 电流 (v
GS
= –15 vdc)
门 反转 电流(v
GS
= –15 vdc, t
一个
= 125
°
c)
I
GSS
—
—
—
—
–1.0
–1.0
nAdc
µ
模数转换器
门 源 截止 电压 MMBFJ309
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 1.0 nadc) MMBFJ310
V
gs(止)
–1.0
–2.0
—
—
–4.0
–6.5
Vdc
在 特性
zero–gate–voltage 流 电流 MMBFJ309
(v
DS
= 10 vdc, v
GS
= 0) MMBFJ310
I
DSS
12
24
—
—
30
60
mAdc
gate–source 向前 电压 (i
G
= 1.0 madc, v
DS
= 0) V
gs(f)
— — 1.0 Vdc
small–signal 特性
向前 转移 admittance (v
DS
= 10 vdc, i
D
= 10 madc, f = 1.0 khz) |Y
fs
| 8.0 — 18 mmhos
输出 admittance (v
DS
= 10 vdc, i
D
= 10 madc, f = 1.0 khz) |y
os
| — — 250
µ
mhos
输入 电容 (v
GS
= –10 vdc, v
DS
= 0 vdc, f = 1.0 mhz) C
iss
— — 5.0 pF
反转 转移 电容 (v
GS
= –10 vdc, v
DS
= 0 vdc, f = 1.0 mhz) C
rss
— — 2.5 pF
相等的 short–circuit 输入 噪音 电压
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 10 madc, f = 100 hz)
e
n
— 10 —
nV
ń
Hz
Ǹ
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 在.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 mmbfj309lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBFJ309LT1
MMBFJ310LT1
1
2
3
情况 318 –08, 样式 10
SOT–23 (至–236ab)
motorola, 公司 1997
2 源
3
门
1 流