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资料编号：170155
 
资料名称：BFP620E7764
 
文件大小： 196.23K
   
说明：
 
介绍:
NPN Silicon Germanium RF Transistor
 
 


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bfp620_e7764
jul-03-2003
2
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
2.3 2.8 - V
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 7.5 v,
V
是
= 0
I
CES
- - 10 µA
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 5 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 0.5 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 3 µA
直流 电流 增益
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 1.5 v
h
FE
100 180 320 -
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