BFP620F
apr-21-2004
1
npn 硅 germanium rf transistor*
•
高 增益 低 噪音 rf 晶体管
•
小 包装 1.4 x 0.8 x 0.59 mm
•
优秀的 噪音 图示
F
= 0.7 db 在 1.8 ghz
优秀的 噪音 图示
F
= 1.3 db 在 6 ghz
•
最大 稳固的 增益
G
ms
= 21 db 在 1.8 ghz
G
毫安
= 10 db 在 6 ghz
•
金 敷金属 为 extra 高 可靠性
*short-期 描述
tsfp-4
1
2
4
3
XYs
1
34
2
方向 的 unreeling
顶 视图
XYs
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFP620F R2s
1=B 2=E 3=C 4=E - - tsfp-4
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
T
一个
> 0 °c
T
一个
≤
0 °c
V
CEO
2.3
2.1
V
集电级-发射级 电压
V
CES
7.5
集电级-根基 电压
V
CBO
7.5
发射级-根基 电压
V
EBO
1.2
集电级 电流
I
C
80 毫安
根基 电流
I
B
3
总的 电源 消耗
1)
T
S
≤
96°C
P
tot
185 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
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