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资料编号:170194
 
资料名称:BFP183T
 
文件大小: 93.87K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Planar RF Transistor
 
 


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bfp183t/bfp183tw/bfp183trw
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 3, 20-jan-99
3 (6)
文档 号码 85014
电的 直流 特性
T
amb
= 25
_
集电级 截-止 电流 V
CE
= 15 v, v
= 0 I
CES
100
m
一个
CB
= 10 v, i
E
= 0 I
CBO
100 nA
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
= 1 v, i
C
= 0 I
EBO
1
m
一个
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 1 毫安, i
B
= 0 V
(br)ceo
10 V
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 30 毫安, i
B
=3 毫安 V
CEsat
0.1 0.4 V
直流 向前 电流 转移 比率 V
CE
= 6 v, i
C
= 5 毫安 h
FE
50 90 150
V
CE
= 8 v, i
C
= 20 毫安 h
FE
50 110
电的 交流 特性
T
amb
= 25
_
CE
= 8 v, i
C
= 15 毫安, f = 500 mhz f
T
6 7.2 GHz
qy
V
CE
= 8 v, i
C
= 30 毫安, f = 500 mhz f
T
8 GHz
集电级-根基 电容 V
CB
= 10 v, f = 1 mhz C
cb
0.4 pF
集电级-发射级 电容 V
CE
= 8 v, f = 1 mhz C
ce
0.3 pF
发射级-根基 电容 V
EB
= 0.5 v, f = 1 mhz C
eb
0.9 pF
CE
= 6 v, i
C
= 5 毫安, z
S
= 75
W
,
f = 10 mhz
F 0.9 dB
V
CE
= 6 v, i
C
= 5 毫安, z
S
= z
Sopt
,
f = 900 mhz
F 1.2 dB
V
CE
= 6 v, i
C
= 5 毫安, z
S
= z
Sopt
,
f = 2 ghz
F 1.8 dB
电源 增益 V
CE
= 8 v, i
C
= 15 毫安, z
S
= z
Sopt
,
Z
L
= z
Lopt
, f = 900 mhz
G
pe
21 dB
V
CE
= 8 v, i
C
= 15 毫安, z
S
= 50
W
,
Z
L
= z
Lopt
, f = 2 ghz
G
pe
12.5 dB
transducer 增益 V
CE
= 8 v, i
C
= 15 毫安, z
0
= 50
W
,
f = 900 mhz
S
21e
2
16.5 dB
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