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资料编号：170244
 
资料名称：BFP420
 
文件大小： 50.27K
   
说明：
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
 
 


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BFP420SIEGET
25
8月-20-20012
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
4.5 5 - V
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 5 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 200 nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 1.5 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 35 µA
直流 电流 增益
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 4 v
h
FE
50 100 150
-
交流 特性
(核实 用 随机的 抽样)
转变 频率
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 3 v,
f
= 2 ghz
f
T
18 25 - GHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 2 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 0.15 0.3 pF
集电级-发射级 电容
V
CE
= 2 v,
f
= 1 mhz
C
ce
- 0.37 -
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
- 0.55 -
噪音 图示
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 2 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
f
= 1.8 ghz
F
- 1.1 - dB
电源 增益, 最大 稳固的
1)
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 2 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 1.8 ghz
G
ms
- 21 -
嵌入 电源 增益
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 2 v,
f
= 1.8 ghz,
Z
S
=
Z
L
= 50
|
S
21
|
2
14 17 -
第三 顺序 intercept 要点
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 2 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 1.8 ghz
IP
3
- 22 - dBm
1db 压缩 要点
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 2 v,
f
= 1.8 ghz,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
P
-1db
- 12 -
1
G
ms
= |
S
21
/
S
12
|
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