九月 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 4 ghz wideband 晶体管 BFQ136
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. 量过的 和 发射级 和 根基 grounded.
2. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
3. d
im
=
−
60 db; i
C
= 500 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
V
p
=V
o
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 795.25 mhz;
V
q
=V
o
−
6 db; f
q
= 803.25 mhz;
V
r
=V
o
−
6 db; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p
+
q
−
r)
= 793.25 mhz.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
25 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
18 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
2V
I
C
直流 集电级 电流
−
600 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
c
= 100
°
C
−
9W
T
stg
存储 温度
−
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
−
200
°
C
标识 参数 热的 阻抗
R
th j-c
热的 阻抗 从 接合面 至 情况 11 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 15 v
−−
75
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 500 毫安; v
CE
= 15 v 25 75
−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 15 v; f = 1 mhz
−
7.0
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 mhz
−
40
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 15 v; f = 1 mhz
−
4.0
−
pF
C
cs
集电级-stud 电容 便条 1
−
0.8
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 500 毫安; v
CE
= 15 v;
f = 500 mhz
−
4.0
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(便条 2)
I
C
= 500 毫安; V
CE
= 15 v;
f = 800 mhz; t
amb
=25
°
C
−
12.5
−
dB
V
o
输出 电压 (看 图.2) 便条 3
−
2.5
−
V
G
UM
10 log
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
db.
=
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