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资料编号:170299
 
资料名称:BFQ67W
 
文件大小: 101.5K
   
说明
 
介绍:
NPN 8 GHz wideband transistor
 
 


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bfq67/bfq67r/bfq67w
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 3, 20-jan-99
2 (12)
文档 号码 85022
绝对 最大 比率
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
20 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
10 V
发射级-根基 电压 V
EBO
2.5 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
总的 电源 消耗 T
amb
60
°
C P
tot
200 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
最大 热的 阻抗
T
amb
= 25
_
接合面 包围的 在 glass fibre 打印 板 (25 x 20 x 1.5) mm
3
镀有 和 35
m
m cu
R
thJA
450 k/w
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