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1995 sep 26 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn video 晶体管 BFQ131
特性
•
低 输出 电容
•
高 消耗
•
高 增益 带宽 产品.
产品
•
缓存区 平台 在 colour monitors
在 这 video 放大器 和 这
输入 的 这 video 单元
•
前-平台 (栅地阴地放大器 驱动器) 在
分离的 video 放大器.
描述
npn 硅 晶体管 在 一个 3-含铅的
塑料 sot54 包装.
固定
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
图.1  simplified 外形 sot54.
1
3
2
MSB033
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
18 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
150 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
=60
°
c; 看 图.2
−
1.9 W
f
T
转变 频率 I
C
= 100 毫安; v
CE
= 10 v; 看 图.4 4
−
GHz
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 10 v; 看 图.5 1.2
−
pF
T
j
接合面 温度
−
175
°
C

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1995 sep 26 2 飞利浦半导体产品规格 npn video 晶体管 BFQ131 特性 • 低输出电容 • 高消耗 • 高增益带宽产品. 产品 • 缓存区平台在 colour monitors 在这 video 放大器和这输入的这 video 单元 • 前-平台 (栅地阴地放大器驱动器) 在分离的 video 放大器. 描述 npn 硅晶体管在一个 3-含铅的塑料 sot54 包装. 固定管脚描述 1 根基 2 集电级 3 发射级图.1 simplified 外形 sot54. 1 3 2 MSB033 快涉及数据标识参数情况典型值最大值单位 V CEO 集电级-发射级电压打开根基 − 18 V I C 集电级电流 (直流) − 150 毫安 P tot 总的电源消耗向上至 t s =60 ° c; 看图.2 − 1.9 W f T 转变频率 I C = 100 毫安; v CE = 10 v; 看图.4 4 − GHz C re 反馈电容 I C = 0; v CE = 10 v; 看图.5 1.2 − pF T j 接合面温度 − 175 ° C

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