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资料编号:170399
 
资料名称:BFR182W
 
文件大小: 79.15K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor
 
 


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BFR182W
8月-09-20014
额外的刺激 参数 (gummel-poon 模型, berkley-额外的刺激 2g.6 syntax) :
晶体管 碎片 数据
是 =
4.8499 fA
vaf =
21.742 V
ne =
0.91624 -
var =
2.2595 V
nc =
0.5641 -
rbm =
2.8263
cje =
8.8619 fF
tf =
22.72 ps
itf =
6.5523 毫安
vjc =
1.0132 V
tr =
1.7541 ns
mjs =
0-
xti =
3 -
bf =
84.113 -
ikf =
0.14414 一个
br =
10.004 -
ikr =
0.039478 一个
rb =
3.4217
re =
2.1858
vje =
1.0378 V
xtf =
0.43147 -
ptf =
0 deg
mjc =
0.31068 -
cjs =
0fF
xtb =
0-
fc =
0.64175 -
nf =
0.56639 -
ise =
8.4254 fA
nr =
0.54818 -
isc =
5.9438 fA
irb =
0.071955 毫安
rc =
1.8159
mje =
0.40796 -
vtf =
0.34608 V
cjc =
490.25 fF
xcjc =
0.19281 -
vjs =
0.75 V
eg =
1.11 eV
TNOM
300 K
所有 参数 是 准备好 至 使用, 非 scalling 是 需要.
提取 在 behalf 的 infineon 科技 ag 用:
institut für mobil-und satellitentechnik (imst)
包装 相等的 电路:
L
BI
=
0.57 nH
L
BO
=
0.4 nH
L
EI
=
0.43 nH
L
EO
=
0.5 nH
L
CI
=
0nH
L
CO
=
0.41 nH
C
=
61 fF
C
CB
=
101 fF
C
CE
=
175 fF
有效的 向上 至 6ghz
为 examples 和 准备好 至 使用 参数 请 联系 your local infineon 科技 distributor 或者 销售
办公室 至 获得 一个 infineon 科技 cd-只读存储器 或者 看 互联网: http://www.infineon.com/silicondiscretes
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