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资料编号:170455
 
资料名称:BFR505T
 
文件大小: 103.54K
   
说明
 
介绍:
NPN 9 GHz wideband transistor
 
 


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2000 三月 14 6
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 BFR505T
在 figs 6 9, g
UM
= 最大 unilateral 电源 增益;
MSG = 最大 稳固的 增益; G
最大值
= 最大
增益.
handbook, halfpage
MRC016
0
5
10
15
20
25
02468
MSG
G
UM
增益
(db)
I
C
(毫安)
图.6 增益 作 一个 函数 的 集电级 电流.
V
CE
= 6 v; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
MRC017
0
5
10
15
20
02468
MSG
G
UM
G
最大值
增益
(db)
I
C
(毫安)
图.7 增益 作 一个 函数 的 集电级 电流.
V
CE
= 6 v; f = 2 ghz; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
MRC015
0
10
20
30
40
50
10
2
10
1
110
f (ghz)
MSG
G
UM
G
最大值
增益
(db)
图.8 增益 作 一个 函数 的 频率.
I
C
= 1.25 毫安; v
CE
= 6 v; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
MRC014
0
10
20
30
40
50
10
1
10
2
110
f (ghz)
MSG
G
UM
G
最大值
增益
(db)
图.9 增益 作 一个 函数 的 频率.
I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; t
amb
=25
°
c.
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