March 1994 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 4 ghz wideband 晶体管 BFT93W
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
便条 至 这 “limiting values” 和 “thermal characteristics”
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
特性
T
j
=25
°
c (除非 否则 specified).
便条
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
15 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
12 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−−
2V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
50 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
=93
°
c; 便条 1
−
300 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 向上 至 t
s
=93
°
c; 便条 1 190 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
5V
−−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
30 毫安; v
CE
=
−
5 V 20 50
−
f
T
转变 频率 I
C
=
−
30 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
4
−
GHz
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
5v;
f = 1 MHz
−
1.2
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
0.5 v;
f = 1 MHz
−
1.4
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
=
−
5v;
f = 1 MHz
−
1
−
pF
G
UM
最大 unilateral 电源
增益; 便条 1
I
C
=
−
30 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
15.5
−
dB
I
C
=
−
30 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 1 ghz; t
amb
=25
°
C
−
10
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
=
−
10 毫安;
V
CE
=
−
5 v; f = 500 MHz
−
2.4
−
dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
=
−
10 毫安;
V
CE
=
−
5 v; f = 1 GHz
−
3
−
dB
G
UM
10
s
21
2
1s
11
2
–
()
1s
22
2
–
()
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