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资料编号:174845
 
资料名称:BLF147
 
文件大小: 84.47K
   
说明
 
介绍:
VHF power MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
九月 1992 3
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 mos 晶体管 BLF147
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
65 V
±
V
GS
门-源 电压
20 V
I
D
直流 流 电流
25 一个
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
mb
= 25
°
C
220 W
T
stg
存储 温度
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
200
°
C
标识 参数 热的 阻抗
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至 挂载 根基 0.8 k/w
R
th mb-h
热的 阻抗 从 挂载 根基 至 散热器 0.2 k/w
图.2 直流 soar.
(1) 电流 是 这个 范围 将 是 限制 用 r
ds(在)
.
(2) T
mb
= 25
°
c.
handbook, halfpage
1
10
10
2
110
V
DS
(v)
I
D
(一个)
10
2
(1)
MRA904
(2)
图.3 电源/温度 减额 曲线.
(1) 短的-时间 运作 在 mismatch.
(2) 持续的 运作.
handbook, halfpage
0
300
200
100
0
50 100 150
MGP049
P
tot
(w)
T
h
(
°
c)
(1)
(2)
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