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October 1992 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 推-拉 电源 mos 晶体管 BLF545
特性 (每 部分)
T
j
= 25
°
C 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
= 10 毫安 65
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
= 28 v
−−
1mA
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
=0
−−
1
µ
一个
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 40 毫安; v
DS
= 10 v 1
−
4V
g
fs
向前 跨导 I
D
= 1.2 一个; v
DS
= 10 v 600 900
−
mS
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗 I
D
= 1.2 一个; v
GS
= 10 v
−
0.85 1.25
Ω
I
DSX
在-状态 流 电流 V
GS
= 15 v; v
DS
= 10 v
−
4.8
−
一个
C
是
输入 电容 V
GS
= 0; v
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
32
−
pF
C
os
输出 电容 V
GS
= 0; v
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
24
−
pF
C
rs
反馈 电容 V
GS
= 0; v
DS
= 28 v; f = 1 mhz
−
6.4
−
pF
图.4 温度 系数 的 门-源
电压 作 一个 函数 的 流 电流,
典型 值 每 部分.
V
DS
= 10 v.
handbook, halfpage
4
−
4
0
2
−
2
MDA504
I
D
(一个)
t.c
(mv/k)
110
10
−
2
10
−
1
图.5 流 电流 作 一个 函数 的 门-源
电压, 典型 值 每 部分.
V
DS
= 10 v; t
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
6
4
2
0
5
V
GS
(v)
I
D
(一个)
10 20
15
MDA505

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October 1992 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 推-拉电源 mos 晶体管 BLF545 特性 (每部分) T j = 25 ° C 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)dss 流-源损坏电压 V GS = 0; i D = 10 毫安 65 −− V I DSS 流-源泄漏电流 V GS = 0; v DS = 28 v −− 1mA I GSS 门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v; v DS =0 −− 1 µ 一个 V gs(th) 门-源门槛电压 I D = 40 毫安; v DS = 10 v 1 − 4V g fs 向前跨导 I D = 1.2 一个; v DS = 10 v 600 900 − mS R ds(在) 流-源在-状态阻抗 I D = 1.2 一个; v GS = 10 v − 0.85 1.25 Ω I DSX 在-状态流电流 V GS = 15 v; v DS = 10 v − 4.8 − 一个 C 是输入电容 V GS = 0; v DS = 28 v; f = 1 mhz − 32 − pF C os 输出电容 V GS = 0; v DS = 28 v; f = 1 mhz − 24 − pF C rs 反馈电容 V GS = 0; v DS = 28 v; f = 1 mhz − 6.4 − pF 图.4 温度系数的门-源电压作一个函数的流电流, 典型值每部分. V DS = 10 v. handbook, halfpage 4 − 4 0 2 − 2 MDA504 I D (一个) t.c (mv/k) 110 10 − 2 10 − 1 图.5 流电流作一个函数的门-源电压, 典型值每部分. V DS = 10 v; t j = 25 ° c. handbook, halfpage 0 6 4 2 0 5 V GS (v) I D (一个) 10 20 15 MDA505

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