hm62256b 序列
12
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = 0 至 70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值
*
1
最大值 单位 测试 conditions*
6
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0 — 5.5 V
CS
≥
V
CC
– 0.2 v,
Vin
≥
0V
数据 保持 电流 I
CCDR
— 0.05 30*
2
µ
AV
CC
= 3.0 v, vin
≥
0V
CS
≥
V
CC
– 0.2 v
I
CCDR
— 0.05 10*
3
µ
一个
I
CCDR
— 0.05 3*
4
µ
一个
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
t
CDR
0 — — ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*
5
——ms
注释: 1. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25
°
c 和 不 有保证的.
2. 10
µ
一个 最大值 在 ta = 0 至 +40
°
c.
3. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l-sl 版本, 3
µ
一个 最大值 在 ta = 0 至 +40
°
c.
4. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l-ul 版本, 0.6
µ
一个 最大值 在 ta = 0 至 +40
°
c.
5. t
RC
= 读 循环 时间.
6.
CS
控制 地址 缓存区,
我们
缓存区,
OE
缓存区, 和 din 缓存区. 如果
CS
控制 数据 保持
模式, vin 水平 (地址,
我们
,
OE
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
V
CC
V
DR
CS
数据 保持 模式
t
R
4.5v
2.2v
0V
CS
≥
V
CC
−
0.2v
t
CDR
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