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8月 1986 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 blu20/12
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 25 毫安; 打开 发射级 V
(br)cbo
>
36 V
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 50 毫安; 打开 根基 V
(br)ceo
>
16,5 V
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 5 毫安; 打开 集电级 V
(br)ebo
>
4V
集电级 截-止 电流
V
是
= 0; v
CE
=20V I
CES
<
12,5 毫安
第二 损坏 活力
l = 25 mh; f = 50 hz; r
是
=10
Ω
E
SBR
>
5,3 mJ
d.c. 电流 增益
I
C
= 2,7 一个; v
CE
=10V h
FE
>
15
典型值 60
集电级 电容 在 f = 1 mhz
I
E
= i
e
=0;v
CB
= 12,5 V C
C
典型值 53 pF
喂养-后面的 电容 在 f = 1 mhz
I
C
= 0; v
CE
= 12,5 V C
re
典型值 33 pF
集电级-ﬂange 电容 C
cf
典型值 3 pF
图.4   t
j
=25
°
c; 典型值 值.
handbook, halfpage
02 10
80
60
20
0
40
46 8
MDA315
h
FE
I
C
(一个)
V
CE
= 12.5 v
10 v
图.5  i
E
=I
e
= 0; f = 1 mhz; 典型值 值.
handbook, halfpage
048
V
CB
(v)
C
c
(pf)
16
160
120
40
0
80
12
MDA316

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8月 1986 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源晶体管 blu20/12 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed 集电级-根基损坏电压 I C = 25 毫安; 打开发射级 V (br)cbo > 36 V 集电级-发射级损坏电压 I C = 50 毫安; 打开根基 V (br)ceo > 16,5 V 发射级-根基损坏电压 I E = 5 毫安; 打开集电级 V (br)ebo > 4V 集电级截-止电流 V 是 = 0; v CE =20V I CES < 12,5 毫安第二损坏活力 l = 25 mh; f = 50 hz; r 是 =10 Ω E SBR > 5,3 mJ d.c. 电流增益 I C = 2,7 一个; v CE =10V h FE > 15 典型值 60 集电级电容在 f = 1 mhz I E = i e =0;v CB = 12,5 V C C 典型值 53 pF 喂养-后面的电容在 f = 1 mhz I C = 0; v CE = 12,5 V C re 典型值 33 pF 集电级-ﬂange 电容 C cf 典型值 3 pF 图.4 t j =25 ° c; 典型值值. handbook, halfpage 02 10 80 60 20 0 40 46 8 MDA315 h FE I C (一个) V CE = 12.5 v 10 v 图.5 i E =I e = 0; f = 1 mhz; 典型值值. handbook, halfpage 048 V CB (v) C c (pf) 16 160 120 40 0 80 12 MDA316

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