march 1993 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管
BLU99
blu99/sl
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
集电级-根基 电压 (打开 发射级) V
CBO
最大值 36 V
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
最大值 16 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 3 V
集电级 电流
d.c. 或者 平均 I
C
;i
c(av)
最大值 0,8 一个
顶峰 值; f
>
1 mhz I
CM
最大值 2,5 一个
d.c. 电源 消耗 向上 至 t
mb
=50
°
CP
tot (d.c.)
最大值 12,5 W
r.f. 电源 消耗
f
>
1 mhz; t
mb
=25
°
CP
tot (r.f.)
最大值 19 W
存储 温度 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
运行 接合面 温度 T
j
最大值 200
°
C
R
th mb-h
= 0,6 k/w.
图.3 d.c. soar.
handbook, halfpage
1
10
−
1
MDA372
1
V
CE
(v)
I
C
(一个)
10 10
2
T
h
= 70
°
C
T
mb
= 50
°
C
图.4 电源/温度 减额 曲线.
I 持续的 d.c. 运作
II 持续的 r.f. 运作 (f
>
1 mhz).
III 短的-时间 r.f. 运作 在 mismatch (f
>
1 mhz).
handbook, halfpage
0
I
II
III
100
28
4
12
20
20
P
tot
(w)
40 60 80
MDA373
T
h
(
°
c)
热的 阻抗
(消耗 = 9 w; t
mb
=25
°
c)
从 接合面 至 挂载 根基
(d.c. 消耗) R
th j-mb(直流)
= 10 k/w
从 接合面 至 挂载 根基
(r.f. 消耗) R
th j-mb(rf)
= 7,5 k/w
从 挂载 根基 至 散热器 R
th mb-h
= 0,6 k/w
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