九月 1991 4
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 晶体管 BLV12
特性
T
j
= 25
°
c.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级;
I
c
= 10 毫安
36
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基;
I
c
= 25 毫安
16
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级;
I
E
= 2 毫安
3
−−
V
I
CES
集电级-发射级 泄漏 电流 V
是
=0;
V
CE
= 16 v
−−
10 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5 v;
I
C
=4 一个
25 35
−
f
T
转变 频率 V
CE
= 12.5 v;
I
E
= 4 一个;
f = 500 mhz
−
1.6
−
GHz
C
c
集电级 电容 V
CB
= 12.5 v;
I
E
=I
e
=0;
f = 1 mhz
−
90 100 pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 12.5 v;
I
C
=0;
f = 1 mhz
−
60 70 pF
C
c-f
集电级-flange 电容 f = 1 mhz
−
2
−
pF
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流, 典型 值.
handbook, halfpage
MRA378
0
10
20
30
40
50
0 4 8 12 16
FE
h
i (一个)
C
12.5 v
V
CE
=
v = 5 v
CE
图.4 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压, 典型 值.
I
E
=i
e
= 0; f = 1 mhz.
handbook, halfpage
0
50
100
150
200
250
0 4 8 12 16
mra374.1
(pf)
c
C
v (v)
CB
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