2000 将 08 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLV2042
热的 特性
便条
1. 晶体管 和 metallized 地面 平面 挂载 在 一个 打印-电路 板, 看
“mounting 和 焊接
recommendations 在 这 一般 部分 的 这 有关联的 handbook”
.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至
挂载 根基
P
tot
= 14.6 w; t
mb
=25
°
c; 便条 1 12 k/w
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级; i
C
=5mA 60
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基; i
C
=10mA 28
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
= 0.5 毫安 4
−−
V
I
CES
集电级 泄漏 电流 V
CE
= 26 v; v
是
=0
−−
1.3 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 26 v; i
C
= 600 毫安 30
−
120
C
c
集电级 电容 V
CB
= 26 v; i
E
=i
e
= 0; f = 1 MHz
−
6
−
pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 26 v; i
C
= 0; f = 1 MHz
−
2.5
−
pF
图.4 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
(1) V
CE
= 26 v; t
p
= 500
µ
s;
δ
=<1%.
(2) V
CE
=10v.
handbook, halfpage
0
120
80
40
h
FE
I
C
(一个)
0
(1)
(2)
0.4 0.8 1.61.2
MGD936
图.5 电容 作 一个 函数 的
集电级-发射级 电压; 典型 值.
f = 1 mhz.
handbook, halfpage
050
50
0
10
20
30
40
C
(pf)
V
CE
(v)
10 20 30 40
MGD947
C
c
C
re
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