march 1993 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLV97CE
特性
在 t
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级
I
C
= 50 毫安
50
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基
I
C
= 100 毫安
27
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级
I
E
= 10 毫安
3.5
−−
V
I
CES
集电级 泄漏 电流 V
是
=0
V
CE
=27V
−−
10 毫安
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=2 一个
V
CE
= 20 v
15
−−
C
c
集电级 电容 在 f = 1 mhz I
E
=I
e
=0
V
CB
= 25 v
−
44
−
pF
C
re
反馈 电容 在 f = 1 mhz I
C
=0
V
CE
= 25 v
−
30
−
pF
C
cf
集电级-flange 电容
−
2
−
pF
图.4 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
handbook, halfpage
024
h
FE
I
C
(一个)
8
100
0
80
6
60
40
20
MDA443
V
CE
= 25 v
20 v
图.5 输出 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压; 典型 值.
handbook, halfpage
010
V
CB
(v)
C
c
(pf)
20 30
100
0
80
60
40
20
MDA444
: 点此下载
