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8月 1986 4
飞利浦 半导体 产品 规格
hf/vhf 电源 晶体管 BLW96
特性
T
j
=25
°
C
注释
1. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0,02.
2. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
50
µ
s;
δ≤
0,01.
集电级-发射级 损坏 电压
V
是
=0;i
C
=50mA V
(br)ces
>
110 V
集电级-发射级 损坏 电压
打开 根基; i
C
= 200 毫安 V
(br)ceo
>
55 V
发射级-根基 损坏 电压
打开 集电级; i
E
=20mA V
(br)ebo
>
4V
集电级 截-止 电流
V
是
=0;v
CE
=55V I
CES
<
10 毫安
第二 损坏 活力; l = 25 mh; f = 50 hz
打开 根基 E
SBO
>
20 mJ
R
是
=10
Ω
E
SBR
>
20 mJ
d.c. 电流 增益
(1)
典型值
15 至
30
50
I
C
= 7 一个; v
CE
=5 v h
FE
d.c. 电流 增益 比率 的 matched 设备
(1)
I
C
= 7 一个; v
CE
=5V h
FE1
/h
FE2
≤
1,2
集电级-发射级 饱和 电压
(1)
I
C
= 20 一个; i
B
= 4 一个 V
CEsat
典型值 1,9 V
转变 频率 在 f = 100 mhz
(2)
−
I
E
= 7 一个; v
CB
= 45 V f
T
典型值 235 MHz
−
I
E
= 20 一个; v
CB
= 45 V f
T
典型值 245 MHz
集电级 电容 在 f = 1 mhz
I
E
=I
e
= 0; v
CB
=50V
反馈 电容 在 f = 1 mhz C
c
典型值 280 pF
I
C
= 150 毫安; v
CE
=50V C
re
典型值 170 pF
collecting-ﬂange 电容 C
cf
典型值 4,4 pF

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8月 1986 4 飞利浦半导体产品规格 hf/vhf 电源晶体管 BLW96 特性 T j =25 ° C 注释 1. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0,02. 2. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 50 µ s; δ≤ 0,01. 集电级-发射级损坏电压 V 是 =0;i C =50mA V (br)ces > 110 V 集电级-发射级损坏电压打开根基; i C = 200 毫安 V (br)ceo > 55 V 发射级-根基损坏电压打开集电级; i E =20mA V (br)ebo > 4V 集电级截-止电流 V 是 =0;v CE =55V I CES < 10 毫安第二损坏活力; l = 25 mh; f = 50 hz 打开根基 E SBO > 20 mJ R 是 =10 Ω E SBR > 20 mJ d.c. 电流增益 (1) 典型值 15 至 30 50 I C = 7 一个; v CE =5 v h FE d.c. 电流增益比率的 matched 设备 (1) I C = 7 一个; v CE =5V h FE1 /h FE2 ≤ 1,2 集电级-发射级饱和电压 (1) I C = 20 一个; i B = 4 一个 V CEsat 典型值 1,9 V 转变频率在 f = 100 mhz (2) − I E = 7 一个; v CB = 45 V f T 典型值 235 MHz − I E = 20 一个; v CB = 45 V f T 典型值 245 MHz 集电级电容在 f = 1 mhz I E =I e = 0; v CB =50V 反馈电容在 f = 1 mhz C c 典型值 280 pF I C = 150 毫安; v CE =50V C re 典型值 170 pF collecting-ﬂange 电容 C cf 典型值 4,4 pF

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