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资料编号:175387
 
资料名称:BLW90
 
文件大小: 58.72K
   
说明
 
介绍:
UHF power transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
8月 1986 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLW90
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
集电级-发射级 电压
(顶峰 值); V
= 0 V
CESM
最大值 60 V
打开 根基 V
CEO
最大值 30 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 4 V
集电级 电流
d.c. 或者 平均 I
C
;i
c(av)
最大值 0,62 一个
(顶峰 值); f
>
1 mhz I
CM
最大值 2,0 一个
总的 电源 消耗 (d.c. 和 r.f.) 向上 至 t
mb
= 25
°
CP
tot
最大值 18,6 W
存储 温度 T
stg
65
+
150
°
C
运行 接合面 温度 T
j
最大值 200
°
C
图.2 d.c. soar.
handbook, halfpage
11010
2
MGP660
1
10
1
T
h
= 70
°
C
T
mb
= 25
°
C
V
CE
(v)
I
C
(一个)
图.3 电源 减额 曲线 vs. 温度.
I 持续的 d.c. 和 r.f. 运作
II 短的-时间 运作 在 mismatch
handbook, halfpage
0 100
30
10
0
20
MGP661
50
P
tot
(w)
T
h
(
°
c)
ΙΙ
Ι
热的 阻抗
(消耗 = 6 w; t
mb
= 73,6
°
c, i.e. t
h
= 70
°
c)
从 接合面 至 挂载 根基
(d.c. 和 r.f. 消耗) R
th j-mb
= 9,0 k/w
从 挂载 根基 至 散热器 R
th mb-h
= 0,6 k/w
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