8月 1986 3
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 晶体管 BLW87
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
集电级-发射级 电压 (v
是
= 0)
顶峰 值 V
CESM
最大值 36 V
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
最大值 18 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 4 V
集电级 电流 (平均) I
c(av)
最大值 6 一个
集电级 电流 (顶峰 值); f
>
1 mhz I
CM
最大值 12 一个
r.f. 电源 消耗 (f
>
1 mhz); t
mb
= 25
°
CP
rf
最大值 76 W
存储 温度 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
运行 接合面 温度 T
j
最大值 200
°
C
图.2 d.c. soar.
handbook, halfpage
10
1
MGP649
11010
2
V
CE
(v)
I
C
(一个)
T
h
= 70
°
C
T
mb
= 25
°
C
图.3 r.f. 电源 消耗; v
CE
≤
16,5 v; f
≥
1 mhz.
handbook, halfpage
0 50 100 150
100
0
50
MGP650
P
rf
(w)
T
h
(
°
c)
持续的
d.c. 运作
减额 用
0.32 w/k
持续的
r.f. 运作
减额 用
0.42 w/k
短的-时间
运作
在 mismatch
热的 阻抗
(消耗 = 20 w; t
mb
=76
°
c; i.e. t
h
=70
°
c)
从 接合面 至 挂载 根基 (d.c. 消耗) R
th j-mb(直流)
= 3,0 k/w
从 接合面 至 挂载 根基 (r.f. 消耗) R
th j-mb(rf)
= 2,25 k/w
从 挂载 根基 至 散热器 R
th mb-h
= 0,3 k/w
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