1996 二月 06 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLX94C
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 量过的 下面 搏动 情况: t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)ces
集电级-发射级 损坏 电压 V
是
= 0; i
C
=25mA 65
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基; i
C
= 100 毫安 30
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
=10mA 4
−−
V
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4 一个; i
B
= 0.8 一个; 便条 1
−
1.5
−
V
I
CES
集电级 截-止 电流 V
是
= 0; v
CE
=30V
−−
10 毫安
E
SBR
第二 损坏 活力 打开 根基; l = 25 mh; f = 50 Hz 3
−−
mJ
R
是
=10
Ω
; l = 25 mh; f = 50 Hz 3
−−
mJ
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v; i
C
= 1.5 一个; 便条 1 15 50
−
f
T
转变 频率 V
CB
= 28 v; i
E
=
−
1.5 一个;
f = 500 mhz; 便条 1
−
1.1
−
f
T
V
CB
= 28 v; i
E
=
−
4a;
f = 500 mhz; 便条 1
−
0.75
−
f
T
C
c
集电级 电容 V
CB
= 28 v; i
E
=i
e
= 0; f = 1 MHz
−
33
−
pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 28 v; i
C
= 20 毫安; f = 1 mhz;
−
18
−
pF
C
c-s
集电级-stud 电容
−
1.2
−
pF
图.4 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
量过的 下面 搏动 情况; t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0.02;t
j
=25
°
c.
(1) V
CE
=25v.
(2) V
CE
=5v.
handbook, halfpage
04
100
0
MBH099
50
2I
C
(一个)
h
FE
V
CE
= 25 v
5 v
图.5 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压; 典型 值.
I
E
=i
e
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
040
75
25
0
50
MBH098
20 V
CB
(v)
C
c
(pf)
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