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8月 1986 4
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 晶体管 BLY89C
特性
T
j
=25
°
C
便条
1. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0,02.
损坏 电压
集电级-发射级 电压
V
是
=0;i
C
=25mA V
(br)ces
>
36 V
集电级-发射级 电压
打开 根基; i
C
=50mA V
(br)ceo
>
18 V
发射级-根基 电压
打开 集电级; i
E
=10mA V
(br)ebo
>
4V
集电级 截-止 电流
V
是
= 0; v
CE
=18V I
CES
<
10 毫安
瞬时 活力
L = 25 mh; f = 50 hz
打开 根基 E
>
8ms
−
V
是
= 1,5 v; r
是
=33
Ω
E
>
8ms
d.c. 电流 增益
(1)
I
C
= 2,5 一个; v
CE
=5V h
FE
典型值 50
10 至 80
集电级-发射级 饱和 电压
(1)
I
C
= 7,5 一个; i
B
= 1,5 一个 V
CEsat
典型值 1,7 V
转变 频率
在 f = 100 mhz
(1)
I
C
= 2,5 一个; v
CE
= 13,5 v f
T
典型值 800 MHz
I
C
= 7,5 一个; v
CE
= 13,5 v f
T
典型值 750 MHz
集电级 电容
在 f = 1 MHz
I
E
=I
e
= 0; v
CB
=15V C
c
典型值 65 pF
<
90 pF
反馈 电容
在 f = 1 mhz
I
C
= 100 毫安; v
CE
=15V C
re
典型值 41 pF
集电级-stud 电容
C
cs
典型值 2 pF

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8月 1986 4 飞利浦半导体产品规格 vhf 电源晶体管 BLY89C 特性 T j =25 ° C 便条 1. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 200 µ s; δ≤ 0,02. 损坏电压集电级-发射级电压 V 是 =0;i C =25mA V (br)ces > 36 V 集电级-发射级电压打开根基; i C =50mA V (br)ceo > 18 V 发射级-根基电压打开集电级; i E =10mA V (br)ebo > 4V 集电级截-止电流 V 是 = 0; v CE =18V I CES < 10 毫安瞬时活力 L = 25 mh; f = 50 hz 打开根基 E > 8ms − V 是 = 1,5 v; r 是 =33 Ω E > 8ms d.c. 电流增益 (1) I C = 2,5 一个; v CE =5V h FE 典型值 50 10 至 80 集电级-发射级饱和电压 (1) I C = 7,5 一个; i B = 1,5 一个 V CEsat 典型值 1,7 V 转变频率在 f = 100 mhz (1) I C = 2,5 一个; v CE = 13,5 v f T 典型值 800 MHz I C = 7,5 一个; v CE = 13,5 v f T 典型值 750 MHz 集电级电容在 f = 1 MHz I E =I e = 0; v CB =15V C c 典型值 65 pF < 90 pF 反馈电容在 f = 1 mhz I C = 100 毫安; v CE =15V C re 典型值 41 pF 集电级-stud 电容 C cs 典型值 2 pF

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