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资料编号:177669
 
资料名称:BPW83
 
文件大小: 72.13K
   
说明
 
介绍:
Silicon PIN Photodiode
 
 


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BPW83
vishay telefunken
2 (5) rev. 2, 20-将-99
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 81530
基本 特性
T
amb
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ 最大值 单位
损坏 电压 I
R
= 100
m
一个, e = 0 V
(br)
60 V
反转 dark 电流 V
R
= 10 v, e = 0 I
ro
2 30 nA
R
= 0 v, f = 1 mhz, e = 0 C
D
70 pF
V
R
= 3 v, f = 1 mhz, e = 0 C
D
25 40 pF
打开 电路 电压 E
e
= 1 mw/cm
2
,
l
= 870 nm V
o
350 mV
短的 电路 电流 E
e
= 1 mw/cm
2
,
l
= 870 nm I
k
38
m
一个
反转 明亮的 电流 E
e
= 1 mw/cm
2
,
l
= 870 nm, v
R
= 5 v
I
ra
43 45
m
一个
角度 的 half 敏锐的
ϕ
±
65 deg
wavelength 的 顶峰 敏锐的
l
p
950 nm
范围 的 谱的 带宽
l
0.5
790...1050 nm
噪音 相等的 电源 V
R
= 10 v,
l
= 870 nm NEP 4x10
–14
w/
Hz
上升 时间 V
R
= 10 v, r
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm
t
r
100 ns
下降 时间 V
R
= 10 v, r
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm
t
f
100 ns
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c 除非 否则 指定)
20 40 60 80
1
10
100
1000
i – 反转 dark 电流 ( na )
ro
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
100
94 8403
V
R
=10V
图示 1. 反转 dark 电流 vs. 包围的 温度
020406080
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
i – 相关的 反转 明亮的 电流
ra rel
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
100
94 8409
V
R
=5V
l
=950nm
图示 2. 相关的 反转 明亮的 电流 vs.
包围的 温度
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