bpw 34 b
半导体 组 3 1997-11-19
spektrale fotoempfindlichkeit,
λ
= 400 nm
谱的 敏锐的
S
λ
0.2 一个/w
quantenausbeute,
λ
= 400 nm
quantum yield
η
0.62
Electrons
Photon
leerlaufspannung,
E
v
= 1000 ix
打开-电路 电压
V
O
390 mV
Kurzschlußstrom
短的-电路 电流
E
e
= 0.5 mw/cm
2
,
λ
= 400 nm
I
SC
7.4 (
≥
5.4)
µ
一个
anstiegs- und abfallzeit des fotostromes
上升 和 下降 时间 的 这 photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 v;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µ
一个
t
r
,
t
f
25 ns
durchlaßspannung,
I
F
= 100 毫安,
E
= 0
向前 电压
V
F
1.3 V
kapazität,
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz,
E
= 0
电容
C
0
72 pF
temperaturkoeffizient von
V
O
温度 系数 的
V
O
TC
V
– 2.6 mv/k
temperaturkoeffizient von
I
SC
温度 系数 的
I
SC
TC
I
0.18 %/k
rauschäquivalente strahlungsleistung
噪音 相等的 电源
V
R
= 10 v,
λ
= 400 nm
NEP
1.3
×
10
– 13
W
√
Hz
nachweisgrenze,
V
R
= 10 v,
λ
= 400 nm
发现 限制
D* 2.1
×
10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c, normlicht 一个,
T
= 2856 k)
特性
(
T
一个
= 25
°
c, 标准 明亮的 一个,
T
= 2856 k) (内容’d)
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
值
Einheit
单位