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资料编号:177689
 
资料名称:BPW77NB
 
文件大小: 82.75K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Phototransistor
 
 


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BPW77N
vishay telefunken
2 (6) rev. 2, 20-将-99
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 81527
基本 特性
T
amb
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ 最大值 单位
集电级 发射级 损坏
电压
I
C
= 1 毫安 V
(br)ce
O
70 V
集电级 dark 电流 V
CE
= 20 v, e = 0 I
CEO
1 100 nA
集电级 发射级 电容 V
CE
= 5 v, f = 1 mhz, e = 0 C
CEO
6 pF
角度 的 half 敏锐的
ϕ
±
10 deg
wavelength 的 顶峰 敏锐的
l
p
850 nm
范围 的 谱的 带宽
l
0.5
620...980 nm
集电级 发射级 饱和
电压
E
e
= 1 mw/cm
2
,
l
= 950 nm, i
C
= 1 毫安
V
CEsat
0.15 0.3 V
turn–on 时间 V
S
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
R
L
= 100
W
t
6
m
s
turn–off 时间 V
S
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
R
L
= 100
W
t
5
m
s
cut–off 频率 V
S
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
R
L
= 100
W
f
c
110 kHz
类型 专心致志的 特性
T
amb
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
集电级 明亮的 电流 E
e
=1mw/cm
2
, BPW77NA I
ca
7.5 10 15 mAg
e
l
=950nm, v
CE
=5V
BPW77NB I
ca
10 20 毫安
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0 25 50 75 100
0
200
400
800
150
94 8342
600
125
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
tot
R
thJC
R
thJA
图示 1. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
94 8343
20
i – 集电级 dark 电流 ( na )
CEO
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
6
10
5
150
50 100
V
CE
=20V
E=0
图示 2. 集电级 dark 电流 vs. 包围的 温度
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