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资料编号:177873
 
资料名称:BQ2002CSN
 
文件大小: 76.32K
   
说明
 
介绍:
NiCd/NiMH Fast-Charge Management IC
 
 


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6
绝对 最大 比率
标识 参数 最小 最大 单位 注释
V
CC
V
CC
相关的 至 V
SS
-0.3 +7.0 V
V
T
直流 电压 应用 在 任何 管脚
excluding V
CC
相关的 至 V
SS
-0.3 +7.0 V
T
OPR
运行 包围的 温度 0 +70 °C 商业的
T
STG
存储 温度 -40 +85 °C
T
焊盘
焊接 温度 - +260 °C 10 秒 最大值
T
偏差
温度 下面 偏差 -40 +85 °C
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果
绝对 最大 比率
是 超过. 函数的 opera
-
tion 应当 是 限制 至 这 推荐 直流 运行 情况 详细地 在 这个 数据 薄板. Expo
-
确信 至 情况 在之外 这 运算的 限制 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 设备 可靠性.
直流 门槛
(t
一个
= 0 至 70°c; V
CC
±
20%)
标识 参数 比率 容忍 单位 注释
V
TCO
温度 截止 0.5
*
V
CC
±
5%
V
V
TS
V
TCO
inhibits/terminates
快 承担
V
HTF
高-温度 故障
0.6
V
CC
±
5%
V
V
TS
V
HTF
inhibits 快 承担
开始
V
MCV
最大 cell 电压 2
±
5%
V
V
BAT
V
MCV
inhibits/terminates
快 承担
V
LBAT
最小 cell 电压
0.175
V
CC
±
20%
V
V
BAT
V
LBAT
inhibits 快 承担
-
V
bat 输入 改变 为
-
V 发现
-12
±
3
mV
PVD bat 输入 改变 为
PVD 发现
-2.5
±
2.5
mV
bq2002C
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