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bq2058
直流 电的 特性
(t
一个
=T
opr)
标识 参数 最小 典型 最大 单位 情况/注释
V
OH
输出 高 电压
V
CC
- 0.5
--v
I
OH
= 10
µ
一个, chg, DSG
V
OL
输出 低 电压 - -
V
SS
+ 0.5
V
I
OL
= 10
µ
一个, chg, DSG
V
运算
运行 电压 4 - 18.0 V V
CC
相关的 至 V
SS
V
IL
输入 低 电压 - - V
SS
+ 0.5 V 管脚 CTL
V
IH
输入 高 电压 V
SS
+ 2.0 - - V 管脚 CTL
V
IL
输入 低 电压 - - V
SS
+ 0.5 V 管脚 NSEL
V
IH
输入 高 电压 V
CC
- 0.5 - - - 管脚 NSEL
I
CCA
起作用的 电流 - 25 40
µ
一个
I
CCS
睡眠 电流 - 0.7 1.5
µ
一个
直流 门槛
(t
一个
=T
opr)
标识 参数 值 单位 容忍 Conditons
V
OV
超（电）压 门槛
(看 图示 5)
4.25 V
±
50mV
看 便条 1
4.375 V
±
55mV
为 bq2058g 仅有的
看 便条 3
表格 2 客户 选项
V
CE
承担 使能 门槛
V
OV
- 150mv
V
±
50mV
V
OV
- 200mv
V
±
50mV
为 bq2058w 仅有的
V
UV
欠压 门槛
2.25 V
±
100mV
2.10 V ±100mV 为 bq2058w 仅有的
V
OCH
Overcurrent 发现 高-一侧 160 mV
±
35mV
V
OCL
Overcurrent 发现 低-一侧 160 mV
±
35mV
V
CD
承担 发现 门槛 70 mV -60mv, +80mV
t
OVD
超（电）压 延迟 门槛 950 ms ±40%
C
OVD
= 0.100
µ
f, T
一个
= 30
°
C
看 便条 2
t
UVD
欠压 延迟 门槛 950 ms
±
40%
C
UVD
= 0.100
µ
f, T
一个
= 30
°
C
看 便条 2
t
OCD
Overcurrent 延迟 门槛 12 ms
±
40% C
OCD
= 0.01
µ
f, T
一个
= 30
°
C
注释:
1. 标准 设备. 联系 unitrode 为 不同的 门槛 和 容忍 选项.
2. 做 不 包含 cell 抽样 延迟, 这个 将 增加 向上 至 160ms 的 额外的 延迟 直到 这
情况 是 发现.
3. bq2058g 是 设计 仅有的 为 3-cell 产品.
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