电压 门槛
在 conjunction 和 monitoring V
SR
为 承担/释放
电流, 这 bq2040 monitors 这 电池 潜在的
通过 这 SB 管脚. 这 电压 潜在的 是 deter
-
mined 通过 一个 电阻-分隔物 网络 每 这 fol
-
lowing 等式:
R
R
MBV
2.25
5
4
1
=−
在哪里 MBV 是 这 最大 电池 电压, R
5
是 con
-
nected 至 这 积极的 电池 终端, 和 R
4
是 con
-
nected 至 这 负的 电池 终端. R
5
/r
4
应当 是
rounded 至 这 next 高等级的 integer. 这 电压 在 这
SB 管脚 (v
SB
) 应当 从不 超过 2.4v.
这 电池 电压 是 监控 为 这 终止-的-
释放 电压 (edv1 和 edvf) 和 为 alarm
警告 情况. EDV 门槛 水平 是 使用 至 de
-
termine 当 这 电池 有 reached 一个 可编程序的
“empty” 状态. 这 bq2040 发生 一个 alarm 警告
当 这 电池 电压 超过 这 最大 charg-
ing 电压 用 5% 或者 如果 这 电压 是 在下 edvf. 这
电池 电压 增益, 这 二 EDV 门槛, 和 这
charging 电压 是 可编程序的 在 这 可擦可编程只读存储器.
如果 V
SB
是 在下 也 的 这 二 EDV 门槛, 这 associ-
ated 标记 是 latched 和 仍然是 latched, 独立 的
V
SB
, 直到 这 next 有效的 承担.
EDV monitoring 将 是 无能 下面 确实 condi-
tions. 如果 这 释放 电流 是 更好 比 这 值
贮存 在 location 0x2c 和 0x2d 在 这 可擦可编程只读存储器 (ee
0x2c/0x2d), EDV monitoring 是 无能 和 重新开始 af-
ter 这 电流 falls 在下 这 编写程序 值.
重置
这 bq2040 是 重置 当 第一 连接 至 这 电池
包装. 在 电源-向上, 这 bq2040 initializes 和 读 这
可擦可编程只读存储器 配置 记忆. 这 bq2040 能 也
是 重置 和 一个 command 在 这 smbus. 这 软件
重置 sequence 是 这 下列的: (1) 写 MaxError
(0x0c) 至 0x0000; (2) 写 这 重置 寄存器 (0x64) 至
0x8009. 一个 软件 重置 能 仅有的 是 执行 如果 这
bq2040 是 在 一个 unlocked 状态 作 定义 用 这 值 在
location 0x3d 的 这 可擦可编程只读存储器 (ee 0x3d) 在 电源-向上.
温度
这 bq2040 monitors 温度 感觉到 使用 一个 在
-
ternal 传感器. 这 温度 是 使用 至 adapt 承担
和 自-释放 compensations 作 好 作 至 监控
为 最大 温度 和
∆
t/
∆
t 在 一个 bq2040
控制 承担. 温度 将 也 是 accessed
在 这 SMBus 和 command 0x08.
布局 仔细考虑
这 bq2040 measures 这 电压 差别的 在
这 SR 和 V
SS
管脚. V
OS
(这 补偿 电压 在 这 SR
管脚) 是 非常 影响 用 PC 板 布局. 为 最优的
结果, 这 PC 板 布局 应当 follow 这 strict rule
的 一个 单独的-要点 地面 返回. 分享 高-电流
地面 和 小 信号 地面 导致 不想要的
噪音 在 这 小 信号 nodes. additionally, 在 谈及
-
ence 至 图示 1:
这 电容 (c1 和 c2) 应当 是 放置 作 关闭 作
可能 至 这 SB 和 V
CC
管脚, 和 它们的 paths 至 V
SS
应当 是 作 短的 作 可能. 一个 高-质量 陶瓷的
电容 的 0.1
µ
f 是 推荐 为 V
CC
.
这 sense 电阻 电容 (c3) 应当 是 放置 作
关闭 作 可能 至 这 SR 管脚.
这 bq2040 应当 是 在 热的 联系 和 这
cells 为 最佳的 温度 度量.
gas gauge 运作
这 运算的 overview 图解 在 图示 2 illus-
trates 这 运作 的 这 bq2040. 这 bq2040 accumu-
lates 一个 measure 的 承担 和 释放 电流, 作
好 作 一个 estimation 的 自-释放. 承担 电流
是 补偿 为 温度 和 状态-的-承担 的
这 电池. 自-释放 是 温度-补偿.
这 主要的 计数器, RemainingCapacity (rm), 代表
这 有 电池 capacity 在 任何 给 时间. 电池
charging increments 这 RM 寄存器, whereas 电池 dis-
charging 和 自-释放 decrement 这 RM 寄存器
和 increment 这 内部的 释放 计数 寄存器
(dcr).
这 释放 计数 寄存器 是 使用 至 更新 这
FullChargeCapacity (fcc) 寄存器 仅有的 如果 一个 完全
电池 释放 从 全部 至 empty occurs 没有 任何
partial 电池 charges. 因此, 这 bq2040 adapts
它的 capacity determination 为基础 在 这 真实的 condi
-
tions 的 释放.
这 电池's 最初的 全部 capacity 是 设置 至 这 值 贮存
在 EE 0x60-0x61. 直到 FCC 是 updated, RM counts 向上 至,
但是 不 在之外, 这个 门槛 在 subsequent charges.
这 battery’s empty 状态 是 也 编写程序 在 这
可擦可编程只读存储器. 这 电池 低 percentage (ee 0x2e) stores
这 percentage 的 FCC 那 将 是 写 至 RM 当
这 电池 电压 drops 在下 这 EDV1 门槛.
1. FullChargeCapacity 或者 learned-电池
capacity:
FCC 是 这 last 量过的 释放 capacity 的 这
电池. 在 initialization (应用 的 V
CC
或者 重置),
FCC 是 设置 至 这 值 贮存 在 这 可擦可编程只读存储器. Dur
-
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bq2040
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