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资料编号:177994
 
资料名称:BQ2201SN
 
文件大小: 107.52K
   
说明
 
介绍:
SRAM Nonvolatile Controller Unit
 
 


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4
直流 电的 特性
(t
一个
=T
OPR
,v
CC
= 5v
±
10%)
标识 参数 最小 典型 最大 单位 情况/注释
I
LI
输入 泄漏 电流 - -
±
1
µ
AV
=V
SS
V
CC
V
OH
输出 高 电压 2.4 - - V I
OH
= -2.0ma
V
OHB
V
OH
, bc 供应 V
BC
- 0.3 - - V V
BC
>v
CC
,i
OH
= -10
µ
一个
V
OL
输出 低 电压 - - 0.4 V I
OL
= 4.0ma
I
CC
运行 供应 电流 - 3 5 毫安 加载 V
输出
CE
CON
.
V
PFD
电源-失败 发现 电压
4.55 4.62 4.75 V THS = V
SS
4.30 4.37 4.50 V THS = V
CC
V
所以
供应 转变-在 电压 - V
BC
-v
I
CCDR
数据-保持 模式
电流
- - 100 nA
V
输出
数据-保持 电流
至 额外的 记忆 不 在-
cluded.
V
OUT1
V
输出
电压
V
CC
- 0.2 - - V V
CC
>v
BC
,i
输出
= 100ma
V
CC
- 0.3 - - V V
CC
>v
BC
,i
输出
= 160ma
V
OUT2
V
输出
电压 V
BC
- 0.3 - - V V
CC
<v
BC
,i
输出
= 100
µ
一个
V
BC
起作用的 backup cell
电压
-v
BC2
-vv
BC1
< 2.5v
-v
BC1
-vv
BC1
> 2.5v
I
OUT1
V
输出
电流 - - 160 毫安 V
输出
>v
CC
- 0.3v
I
OUT2
V
输出
电流 - 100 -
µ
AV
输出
>v
BC
- 0.2v
便条:
典型 值 表明 运作 在 t
一个
= 25°c, V
CC
= 5v 或者 V
BC
.
oct. 1998 d
bq2201
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