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RBI 输入
这 RBI 输入 管脚 是 使用 和 一个 存储 电容 或者 ex-
ternal 供应 至 提供 后面的-向上 潜在的 至 这 内部的
内存 当 V
CC
drops 在下 2.4v. 这 最大 dis-
承担 电流 是 100nA 在 这个 模式. 这 bq2018 输出-
puts V
CC
在 RBI 当 这 供应 是 在之上 2.4v, 所以 一个 di-
ode 是 必需的 至 分开 一个 外部 供应.
承担/释放 计数 运作
表格 2 显示 这 主要的 counters 和 寄存器 的 这
bq2018. 这 bq2018 accumulates 承担 和 释放
counts 在 二 主要的 计数 寄存器, 这 释放
计数 寄存器 (dcr) 和 这 承担 计数 寄存器
(ccr). 这 bq2018 生产 承担 和 释放
counts 用 感觉到 这 电压 区别 横过 一个 低-
值 电阻 在 这 负的 终端 的 这 bat-
tery 包装 和 这 负的 终端 的 这 电池. 这
DCR 或者 CCR counts 取决于 在 这 信号 在
SR1 和 sr2.
在 释放, 这 DCR 和 这 释放 时间
计数器 (dtc) 是 起作用的. 如果 V
SR1
是 较少 比 V
SR2
, indi-
cating 一个 释放, 这 DCR counts 在 一个 比率 相等的 至
12.5
µ
V 每 小时, 和 这 DTC counts 在 一个 比率 的 1
计数/0.8789 秒 (4096 counts 每 1 小时). 为 exam
-
ple, 一个 -100mv 信号 生产 8000 DCR counts 和 4096
DTC counts 各自 小时. 这 数量 的 承担 移除
从 这 电池 能 容易地 是 计算.
bq2018
表格 2. bq2018 counters
名字 描述 范围 内存 大小
DCR 释放 计数 寄存器
V
SR1
< v
SR2
(最大值. =-200mv) 12.5
µ
vh increments
16-位
CCR 承担 计数 寄存器
V
SR1
>v
SR2
(最大值. = +200mv) 12.5
µ
Vh increments
16-位
SCR 自-释放 计数 寄存器 1 计数/小时 @ 25°c 16-位
DTC 释放 时间 计数器
1 计数/0.8789s default
1 计数/225s 如果 标准 是 设置
16-位
CTC 承担 时间 计数器
1 计数/0.8789s default
1 计数/225s 如果 STC 是 设置
16-位
模式/
WOE
模式/
wake 输出 使能
— 8-位
RBI
SR2
SR1
WAKE
HDQ
VSS
VCC
REG
BQ2018
U1
1
2
3
45
6
7
8
C1
VCC
SST113
Q1
BAT+
BZX84C5V6
D1
2
HDQ
BZX84C5V6
D2
2
100
R5
C4
C2
C3
BAV99
D3
1M
d
s
R4
RBI
包装-
bat-
1W
0.05
R1
100K
R3
100K
R2
WAKE
1K
R6
VCC
0.01
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
C5
2018typap.eps
图示 2. 典型 应用
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