函数的 描述
当 电源 是 有效的, 这 bq4010 运作 作 一个 标准
cmos sram. 在 电源-向下 和 电源-向上 循环,
这 bq4010 acts 作 一个 nonvolatile 记忆, automatically
protecting 和 preserving 这 记忆 内容.
电源-向下/电源-向上 控制 电路系统 constantly
monitors 这 v
CC
供应 为 一个 电源-失败-发现 门槛
V
PFD
. 这 bq4010 monitors 为 v
PFD
= 4.62v 典型 为
使用 在 系统 和 5% 供应 容忍. 这 bq4010y
monitors 为 v
PFD
= 4.37v 典型 为 使用 在 系统 和
10% 供应 容忍.
当 v
CC
falls 在下 这 v
PFD
门槛, 这 sram
automatically 写-保护 这 数据. 所有 输出
变为 高 阻抗, 和 所有 输入 是 treated 作
“don’t 小心.” 如果 一个 有效的 进入 是 在 处理 在 这 时间 的
电源-失败 发现, 这 记忆 循环 持续 至 com-
pletion. 如果 这 记忆 循环 失败 至 terminate 在里面
时间 t
WPT
, 写-保护 takes 放置.
作 v
CC
falls past v
PFD
和 approaches 3v, 这 控制
电路系统 switches 至 这 内部的 lithium backup 供应,
这个 提供 数据 保持 直到 有效的 v
CC
是 应用.
当 v
CC
returns 至 一个 水平的 在之上 这 内部的 backup
cell 电压, 这 供应 是 切换 后面的 至 v
CC
. 之后
V
CC
ramps 在之上 这 v
PFD
门槛, 写-保护
持续 为 一个 时间 t
CER
(120ms 最大) 至 准许 为
处理器 stabilization. 正常的 记忆 运作 将
重新开始 之后 这个 时间.
这 内部的 coin cell 使用 用 这 bq4010 有 一个
极其 长 shelf 生命 和 提供 数据 保持 为
更多 比 10 年 在 这 absence 的 系统 电源.
作 运输 从 benchmarq, 这 integral lithium cell 是
用电气 分开的 从 这 记忆. (自-释放 在
这个 情况 是 大概 0.5% 每 年.) 下列的
这 第一 应用 的 v
CC
, 这个 分开 是 broken, 和
这 lithium backup cell 提供 数据 保持 在
subsequent 电源-downs.
真实 表格
模式 CE 我们 OE i/o 运作 电源
不 选择 H X X 高 z 备用物品
输出 使不能运转 L H H 高 z 起作用的
读 L H L D
输出
起作用的
写 LLX D
在
起作用的
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位 情况
V
CC
直流 电压 应用 在 v
CC
相关的 至 v
SS
-0.3 至 7.0 V
V
T
直流 电压 应用 在 任何 管脚 excluding v
CC
相关的 至 v
SS
-0.3 至 7.0 V
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
T
OPR
运行 温度
0 至 +70 °C 商业的
-40 至 +85 °C 工业的 “n”
T
STG
存储 温度
-40 至 +70 °C 商业的
-40 至 +85 °C 工业的 “n”
T
偏差
温度 下面 偏差
-10 至 +70 °C 商业的
-40 至 +85 °C 工业的 “n”
T
焊盘
焊接 温度 +260 °C 为 10 秒
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果
绝对 最大 比率
是 超过. 函数的 运作
应当 是 限制 至 这 推荐 直流 运行 情况 详细地 在 这个 数据 薄板. 暴露 至 con-
ditions 在之外 这 运算的 限制 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 设备 可靠性.
bq4010/bq4010y
sept. 1996 d
6-2
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