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资料编号:178316
 
资料名称:BQ4013YMA-85
 
文件大小: 473.56K
   
说明
 
介绍:
128Kx8 Nonvolatile SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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bq4013/y
电源-向下/电源-向上 循环
(t
一个
=T
opr)
标识 参数 最小 典型 最大 单位 情况
t
PF
V
CC
回转, 4.75 至 4.25 v 300 - -
µ
s
t
FS
V
CC
回转, 4.25 至 V
所以
10 - -
µ
s
t
PU
V
CC
回转, V
所以
V
PFD
(最大值.) 0 - -
µ
s
t
CER
碎片 使能 恢复 时间 40 80 120 ms
时间 在 这个
SRAM
写-保护 之后
V
CC
passes V
PFD
电源-向上.
t
DR
数据-保持 时间 在
absence 的 V
CC
10 - -
T
一个
= 25°c. (2)
t
dr-n
数据-保持 时间 在
absence 的 V
CC
6 - -
T
一个
= 25°c (2); 工业的
温度 范围 仅有的
t
WPT
写-保护 时间 40 100 150
µ
s
延迟 之后 V
CC
slews
向下 past V
PFD
在之前
SRAM
写-保护.
注释:
1. 典型 值 表明 运作 在 t
一个
= 25°c, V
CC
= 5v.
2. 电池 是 disconnected 从 电路 直到 之后 V
CC
是 应用 为 这 第一 时间. t
DR
是 这
accumulated 时间 在 absence 的 电源 beginning 当 电源 是 第一 应用 至 这 设备.
提醒: 负的 undershoots 在下 这 绝对 最大 比率 的 -0.3v 在 电池-backup 模式
将 影响 数据 integrity.
电源-向下/电源-向上 定时
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