CD4051BQPWRQ1_集成电路资料查询网

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  
  
schs354 −8月 2004
7
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
电的 特性, v
供应
=
±
5 v, 一个
V
= 1 v, r
L
= 100
Ω
, 除非 否则 指出
(看 便条 2) (持续)
参数 测试 情况
V
EE
V
DD
限制 在 表明
温度
UNITPARAMETER 测试 情况
V
EE
(v)
V
DD
(v)
−40
°
C
125
°
C
25
°
C
单位
(v) (v)
−40
°
C
125
°
C
最小值 典型值 最大值
控制 (地址 或者 inhibit), v
C
V
IL
= v
DD
通过 1k
Ω
,
V = v 通过 1k ,
V
SS
5 1.5 1.5 1.5
V
IL
输入 低 电压
V
IL
= v
DD
通过 1k ,
V
IH
= v
DD
通过 1k
Ω
,
R
L
= 1k
Ω
至 v
SS
,
V
SS
10 3 3 3
VV
IL
输入 低 电压
R
L
= 1k
Ω
至 v
SS
,
I
是
< 2
µ
一个 在 所有 止 途径
V
SS
15 4 4 4
V
V
IL
= v
DD
通过 1k
Ω
,
V = v 通过 1k ,
V
SS
5 3.5 3.5 3.5
V
IH
输入 高 电压
V
IL
= v
DD
通过 1k ,
V
IH
= v
DD
通过 1k
Ω
,
R
L
= 1k
Ω
至 v
SS
,
V
SS
10 7 7 7
VV
IH
输入 高 电压
R
L
= 1k
Ω
至 v
SS
,
I
是
< 2
µ
一个 在 所有 止 途径
V
SS
15 11 11 11
V
I
在
输入 电流 V
在
= 0 v, 18 v 18
±
0.1
±
1
±
10
−5
±
0.1
µ
一个
地址-至-信号 t
r
, t
f
= 20 ns, c
L
= 50 pf,
0 5 450 720
t
pd1
地址-至-信号
输出 (途径 在
t
r
, t
f
= 20 ns, c
L
= 50 pf,
R
L
= 10 k
Ω
, v
SS
= 0 v
,
0 10 160 320
nst
pd1
输出 (途径 在
或者 止) 传播
延迟
R
L
= 10 k
Ω
, v
SS
= 0 v
,
看 图示 10, 图示 11, 和
图示 14
0 15 120 240
ns
或者 止) 传播
延迟
看 图示 10, 图示 11, 和
图示 14
−5 5 225 450
inhibit-至-信号
t , t = 20 ns, c = 50 pf,
0 5 400 720
t
pd2
inhibit-至-信号
输出 (频道
t
r
, t
f
= 20 ns, c
L
= 50 pf,
R
L
= 1 k
Ω
, v
SS
= 0 v
0 10 160 320
nst
pd2
输出 (频道
turning 在)
传播 延迟
rf L
R
L
= 1 k
Ω
, v
SS
= 0 v
,
看 图示 11
0 15 120 240
ns
turning 在)
传播 延迟
看 图示 11
−10 5 200 400
inhibit-至-信号
t , t = 20 ns, c = 50 pf,
0 5 200 450
t
pd3
inhibit-至-信号
输出 (频道
t
r
, t
f
= 20 ns, c
L
= 50 pf,
R
L
= 10 k
Ω
, v
SS
= 0 v
0 10 90 210
nst
pd3
输出 (频道
turning 止)
传播 延迟
rf L
R
L
= 10 k
Ω
, v
SS
= 0 v
,
看 图示 15
0 15 70 160
ns
turning 止)
传播 延迟
看 图示 15
−10 5 130 300
C
在
输入 电容,
任何 地址 或者
inhibit 输入
5 7.5 pF
注释: 2: 顶峰-至-顶峰 电压 对称的 关于
V
DD
− v
EE
2
3: 决定 用 最小 feasible 泄漏 度量 为 自动 测试

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         schs354 −8月 2004 7 邮递办公室盒 655303 • 达拉斯市, 德州 75265 电的特性, v 供应 = ± 5 v, 一个 V = 1 v, r L = 100 Ω , 除非否则指出 (看便条 2) (持续) 参数测试情况 V EE V DD 限制在表明温度 UNITPARAMETER 测试情况 V EE (v) V DD (v) −40 ° C 125 ° C 25 ° C 单位 (v) (v) −40 ° C 125 ° C 最小值典型值最大值控制 (地址或者 inhibit), v C V IL = v DD 通过 1k Ω , V = v 通过 1k , V SS 5 1.5 1.5 1.5 V IL 输入低电压 V IL = v DD 通过 1k , V IH = v DD 通过 1k Ω , R L = 1k Ω 至 v SS , V SS 10 3 3 3 VV IL 输入低电压 R L = 1k Ω 至 v SS , I 是 < 2 µ 一个在所有止途径 V SS 15 4 4 4 V V IL = v DD 通过 1k Ω , V = v 通过 1k , V SS 5 3.5 3.5 3.5 V IH 输入高电压 V IL = v DD 通过 1k , V IH = v DD 通过 1k Ω , R L = 1k Ω 至 v SS , V SS 10 7 7 7 VV IH 输入高电压 R L = 1k Ω 至 v SS , I 是 < 2 µ 一个在所有止途径 V SS 15 11 11 11 V I 在输入电流 V 在 = 0 v, 18 v 18 ± 0.1 ± 1 ± 10 −5 ± 0.1 µ 一个地址-至-信号 t r , t f = 20 ns, c L = 50 pf, 0 5 450 720 t pd1 地址-至-信号输出 (途径在 t r , t f = 20 ns, c L = 50 pf, R L = 10 k Ω , v SS = 0 v , 0 10 160 320 nst pd1 输出 (途径在或者止) 传播延迟 R L = 10 k Ω , v SS = 0 v , 看图示 10, 图示 11, 和图示 14 0 15 120 240 ns 或者止) 传播延迟看图示 10, 图示 11, 和图示 14 −5 5 225 450 inhibit-至-信号 t , t = 20 ns, c = 50 pf, 0 5 400 720 t pd2 inhibit-至-信号输出 (频道 t r , t f = 20 ns, c L = 50 pf, R L = 1 k Ω , v SS = 0 v 0 10 160 320 nst pd2 输出 (频道 turning 在) 传播延迟 rf L R L = 1 k Ω , v SS = 0 v , 看图示 11 0 15 120 240 ns turning 在) 传播延迟看图示 11 −10 5 200 400 inhibit-至-信号 t , t = 20 ns, c = 50 pf, 0 5 200 450 t pd3 inhibit-至-信号输出 (频道 t r , t f = 20 ns, c L = 50 pf, R L = 10 k Ω , v SS = 0 v 0 10 90 210 nst pd3 输出 (频道 turning 止) 传播延迟 rf L R L = 10 k Ω , v SS = 0 v , 看图示 15 0 15 70 160 ns turning 止) 传播延迟看图示 15 −10 5 130 300 C 在输入电容, 任何地址或者 inhibit 输入 5 7.5 pF 注释: 2: 顶峰-至-顶峰电压对称的关于 V DD − v EE 2 3: 决定用最小 feasible 泄漏度量为自动测试

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