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ADG884
rev. 一个 | 页 12 的 16
测试 电路
SD
V
S
R
在
= v1/i
DS
I
DS
V1
05028-012
图示 18. 在 阻抗
SD
V
S
V
D
I
S
(止) I
D
(止)
一个 一个
05028-013
图示 19. 止 泄漏
SD
V
D
I
D
(在)
NC
一个
05028-014
图示 20. 在 泄漏
05028-015
D
在
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
在
V
输出
V
S
V
DD
V
输出
t
在
t
止
50% 50%
90% 90%
0.1
μ
F
S1B
S1A
图示 21. 切换 时间, t
在
, t
止
V
输出
V
在
t
BBM
t
BBM
50% 50%
80%
0V
D
在
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
输出
V
S
V
DD
0.1
μ
F
S1B
S1A
80%
05028-016
图示 22. 破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
05028-017
在
地
V
DD
V
S
V
在
V
输出
1nF
V
输出
NC
sw 在
Q
INJ
= cl
×Δ
V
输出
sw 止
Δ
V
输出
S1B
S1A
D
图示 23. 承担 injection

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ADG884 rev. 一个 \| 页 12 的 16 测试电路 SD V S R 在 = v1/i DS I DS V1 05028-012 图示 18. 在阻抗 SD V S V D I S (止) I D (止) 一个一个 05028-013 图示 19. 止泄漏 SD V D I D (在) NC 一个 05028-014 图示 20. 在泄漏 05028-015 D 在地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 在 V 输出 V S V DD V 输出 t 在 t 止 50% 50% 90% 90% 0.1 μ F S1B S1A 图示 21. 切换时间, t 在 , t 止 V 输出 V 在 t BBM t BBM 50% 50% 80% 0V D 在地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 输出 V S V DD 0.1 μ F S1B S1A 80% 05028-016 图示 22. 破裂-在之前-制造时间延迟, t BBM 05028-017 在地 V DD V S V 在 V 输出 1nF V 输出 NC sw 在 Q INJ = cl ×Δ V 输出 sw 止 Δ V 输出 S1B S1A D 图示 23. 承担 injection

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