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资料编号：180164
 
资料名称：BS616LV2013EC
 
文件大小： 241.25K
   
说明：
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
 
 


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修订 2.5
april 2002
9
r0201-bs616lv2013
BSI
BS616LV2013
包装 维度
1
24
24
D
1
C
L
HD
48
部分 一个-一个
根基 metal
和 镀层
c
c1
b1
b
0.0236
0.006
0.020
0.004
0.004 ~ 0.006
0.004 ~ 0.008
0.008
0.001
0.009
0.002
0.0433
0.004
0
~ 8
0.004 最大值
0.0315
0.004
0.708
0.008
0.472
0.004
0.645
0.004
0.039
0.002
0.004
0.002
25
"一个"
25
seating 平面
48
12
(2x)
E
b
e
12
(2x)
D
y
L1
y
L
HD
e
E
标识
单位
b
c1
b1
c
A2
A1
一个
16.40
0.10
0.50
0.10
0.80
0.10
0.60
0.15
18.00
0.20
12.00
0.10
0
~ 8
0.1 最大值
0.10 ~ 0.16
0.10 ~ 0.21
0.20
0.03
0.22
0.05
1.00
0.05
0.10
0.05
1.10
0.10
MMINCH
12
(2x)
"一个" detail 视图
L1
gauge 平面
A1
一个
A2
seating 平面
12
(2x)
L
一个
一个
0
0.254
tsop1-48pin
24
25
1
48
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
/我们
CE2
NC
/ub
/lb
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
9
10
13
16
17
A16
NC
VSS
IO15
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
/oe
VSS
/ce
A0
47
48tsop(i)-12x18mm
Pkg 类型 :
37
27
46
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