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BSC022N03S
9 流-源 在-状态 阻抗 10 典型值 门 门槛 电压
R
ds(在)
=f(
T
j
);
I
D
=50 一个;
V
GS
=10 v
V
gs(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
参数:
I
D
11 典型值 capacitances 12 向前 特性 的 反转 二极管
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 v;
f
=1 mhz
I
F
=f(
V
SD
)
参数:
T
j
典型值
98 %
0
1
2
3
4
-60 -20 20 60 100 140 180
T
j
[°C]
R
ds(在)
[m
Ω
]
100 µa
1000 µa
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 -20 20 60 100 140 180
T
j
[°C]
V
gs(th)
[V]
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
100
1000
10000
0102030
V
DS
[V]
C
[pF]
25 °c150 °c
25°c, 98%
150°c, 98%
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V
SD
[V]
I
F
[A]
rev. 1.2 页 6 2004-04-13

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BSC022N03S 9 流-源在-状态阻抗 10 典型值门门槛电压 R ds(在) =f( T j ); I D =50 一个; V GS =10 v V gs(th) =f( T j ); V GS = V DS 参数: I D 11 典型值 capacitances 12 向前特性的反转二极管 C =f( V DS ); V GS =0 v; f =1 mhz I F =f( V SD ) 参数: T j 典型值 98 % 0 1 2 3 4 -60 -20 20 60 100 140 180 T j [°C] R ds(在) [m Ω ] 100 µa 1000 µa 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -60 -20 20 60 100 140 180 T j [°C] V gs(th) [V] Ciss Coss Crss 10 4 10 3 10 2 100 1000 10000 0102030 V DS [V] C [pF] 25 °c150 °c 25°c, 98% 150°c, 98% 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -1 10 -2 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 V SD [V] I F [A] rev. 1.2 页 6 2004-04-13

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